| |
ความรู้พื้นฐาน
|
|
| |
หน่วยมาตรฐาน
ความหมายของตัวคูณหน่วย
การอ่านค่าความต้านทาน (Resistor)
การวัดค่าความต้านทานแบบค่าคงที่
การวัดค่าความต้านทานแบบปรับค่าได้
ประเภทของตัวเก็บความจุ (Capacitor)
ขั้นตอนการตรวจสภาพตัวเก็บประจุด้วยการวัดค่า
การอ่านค่าตัวเก็บประจุ (Capacitor)
การใช้ไดโอด (Diode)
ขั้นตอนการตรวจวัดไดโอด
ซีเนอร์ไดโอด (Zener Diode)
การวัดซีเนอร์ไดโอดแบบง่าย
หลักการเบื้องต้นทรานซิสเตอร์ (Transistor)
การตรวจวัดทรานซิสเตอร์
คำย่อทางอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้บ่อย |
|
| |
|
|
| |
หน่วยมาตรฐาน |
|
| |
แอมแปร์ : เป็นหน่วยของกระแสไฟฟ้า กระแสไฟฟ้า 1 แอมแปร์
คือ กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านโลหะตัวนำเหยียดตรงขนานกัน 2 เส้น มีความยาวมากๆ
(อินฟินิตี้) โดยไม่คำนึงถึงพื้นที่หน้าตัด โลหะตัวนำทั้งสองเส้นวางห่างกัน
1 เมตรในสุญญากาศ แรงที่เกิดขึ้นระหว่างโลหะตัวนำทั้งสองมีค่าเท่ากับ
2x 10-7 นิวตัน ต่อความยาวของโลหะตัวนำ 1 เมตร |
|
| |
แอมแปร์-ชั่วโมง : เป็นหน่วยของปริมาณไฟฟ้า 36,000 คูลอมป์
โดย 1 แอมแปร์-ชั่วโมง คือ กระแสไฟฟ้า 1 แอมแปร์ไหลเป็นเวลา 1
ชั่วโมง |
|
| |
คูลอมป์ : เป็นหน่วยของประจุไฟฟ้า โดย 1 คูลอมป์ มีค่าเท่ากับ
ปริมาณไฟฟ้า 1 แอมแปร์ไหลจากจุดหนึ่งไปยังอีกจุดหนึ่งในเวลา 1
วินาที |
|
| |
ฟารัด : เป็นหน่วยของความจุ โดย 1 ฟารัด มีค่าเท่ากับความจุระหว่างแผ่นโลหะ
2 แผ่นที่มีความจุ 1 คูลอมป์ และมีความต่างศักย์ระหว่างแผ่น 1
โวลต์ ในการใช้งานส่วนใหญ่จะพบหน่วยเป็น ไมโครฟารัด , นาโนฟารัด
และพิโกฟารัด |
|
| |
เฮนรี่ : เป็นหน่วยของความเหนี่ยวนำไฟฟ้า โดย 1 เฮนรี่มีค่าเท่ากับ
แรงดันไฟฟ้า 1 โวลต์ที่เกิดขึ้นในขดลวดวงจรปิดที่มีกระแสไฟฟ้าไหลในวงจรและกระแสไฟฟ้านั้นเปลี่ยนแปลงอย่างคงที่ในอัตรา
1 แอมแปร์ต่อวินาที ในงานทั่วไปจะพบหน่วย ไมโครเฮนรี่ และมิลลิเฮนรี่ |
|
| |
เฮิรตซ์ : เป็นหน่วยของความถี่หรือจำนวนเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นอย่างสม่ำเสมอซ้ำๆกันในเวลา
1 วินาที |
|
| |
จูล : เป็นหน่วยของพลังงาน ทั้งด้านพลังงานกลและพลังงานความร้อน
พลังงาน 1 จูล คือ งานที่เกิดขึ้นจากการกระทำของแรง 1 นิวตัน เคลื่อนที่เป็นระยะทาง
1 เมตร ในทิศทางเดียวกันกับแรงนั้น |
|
| |
โอห์ม : เป็นหน่วยของความต้านทาน โดย ความต้านทานขนาด
1 โอห์ม หมายถึง ความต้านทานที่ถูกป้อนด้วยแรงดันคงที่ ขนาด 1
โวลต์ แล้วเกิดกระแสขนาด 1 แอมป์ผ่านความต้านทานนั้น |
|
| |
โมห์ : เป็นหน่วยของความนำไฟฟ้า หรือเรียกอีกอย่างหนึ่งว่า
"ซีเมนส์" เป็นส่วนกลับของโอห์ม เช่น ความต้านทาน 4 โอห์ม เท่ากับ
0.25 ซีเมนต์ หรือ 0.25 โมห์ |
|
| |
นิวตัน : เป็นหน่วยของแรง แรงขนาด 1 นิวตัน คือ แรงที่ทำให้ของหนัก
1 กิโลกรัม เคลื่อนที่ด้วยอัตราเร่ง 1 เมตรต่อวินาที |
|
| |
เทสลา : เป็นหน่วยของความหนาแน่นของเส้นแรงแม่เหล็ก มีค่าเท่ากับ
1 เวเบอร์ต่อตารางเมตรของพื้นที่วงจร |
|
| |
โวลต์ : เป็นหน่วยของแรงดันไฟฟ้า แรงดัน 1 โวลต์ มีค่าเท่ากับแรงดันของ
2 จุด ที่มีกระแสไฟฟ้าไหลผ่าน 1 แอมแปร์ และมีกำลังไฟฟ้าเกิดขึ้นระหว่าง
2 จุดนั้น 1 วัตต์ |
|
| |
โวลต์-แอมแปร์ : เป็นผลคูณของแรงดันเป็นโวลต์ (อาร์เอ็มเอส
RMS ) กับกระแส (อาร์เอ็มเอส RMS) |
|
| |
วัตต์ : เป็นหน่วยของกำลังไฟฟ้า โดยกำลังไฟฟ้า 1 วัตต์
มีค่าเท่ากับพลังงาน 1 จูลต่อวินาที |
|
| |
กิโลวัตต์ : เท่ากับ 1,000 วัตต์ |
|
| |
กิโลวัตต์-แอมแปร์ : เท่ากับ 1,000 โวลต์-แอมแปร์ |
|
| |
เวเบอร์ : เป็นหน่วยของเส้นแรงแม่เหล็ก โดยขนาด 1 เวเบอร์
หมายถึง เส้นแรงแม่เหล็กซึ่งเชื่อมโยงลวดตัวนำ 1 รอบ จะเกิดแรงดัน
1 โวลต์ ในขณะที่เส้นแรงนั้นลดลงเป็นศูนย์ในเวลา 1 วินาที |
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
ความหมายของตัวคูณหน่วย |
|
| |
ตัวนำหน้า |
สัญลักกษณ์ |
คูณด้วย |
| Tera (เทรา) |
T |
1012 |
| Giga (กิกะ) |
G |
109 |
| Mega (เมกะ) |
M |
106 |
| Kilo (กิโล) |
k |
103 |
| Hecto (เฮกโต) |
h |
102 |
| Deka (เดคา) |
da |
10 |
| Deci (เดซิ) |
d |
10-1 |
| Ceti (เซนติ) |
c |
10-2 |
| Milli (มิลลิ) |
m |
10-3 |
| Micro (ไมโคร) |
µ |
10-6 |
| Nano (นาโน) |
n |
10-9 |
| Pico (พิโก) |
p |
10-12 |
| Femto (เฟมโต) |
f |
10-15 |
| Atto (แอตโต) |
a |
10-18 |
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
การอ่านค่าความต้านทาน (Resistor) |
|
| |
เป็นอุปกรณ์ที่ใช้ต้านกระแสไฟฟ้าให้ลดลง
มี 2 ประเภท คือ แบบค่าคงที่และแบบปรับค่าได้ ส่วนใหญ่การบอกค่าตัวต้านทานมักดูที่แถบสี
เนื่องจากมีขนาดเล็ก ไม่สามารถพิมพ์ค่าลงเป็นตัวเลขได้ การใช้แถบสีแสดงค่าจึงเป็นการอ่านค่า
แบบมาตรฐานที่นิยมใช้ทั่วไป โดยกำหนดให้แถบสีที่อยู่ชิดด้านใดด้านหนึ่ง
ของตัวต้านทานเป็นแถบที่ 1 แล้วจึงจำทำการอ่านค่าต่อไป โดยในตัวอย่างกำหนดให้แถบสีที่
1 อยู่ทางซ้ายมือ เวลาอ่านจะไล่จากซ้ายไปขวา |
|
| |
|
|
| |
การอ่านค่าสีตัวต้านทานแบบ 4 แถบสี |
|
| |
การอ่านค่าสีตัวต้านทาน แบบ 4 แถบสี
ให้อ่านจากซ้ายมาขวา เช่น "เหลือง ม่วง ส้ม ทอง" แถบสีที่ คือ
สีเหลืองแทนด้วยเลข 4 แถบสีที่ 2 แทนด้วยเลข 7 แถบสีที่ 3 คือ
ตัวคูณ ดังนั้น สีส้ม หมายถึง ตัวคูณ ×1000 และสีทองคือ
ค่าความผิดพลาด ±5% ดังนั้นสามารถอ่านค่าความต้านทานได้
47×1000 = 47,000 โอห์ม ±5% หรือ 47 กิโลโอห์ม ±5%
|
|
| |
|
|
| |
การอ่านค่าสีตัวความต้านทานแบบ 5 แถบสี |
|
| |
การอ่านค่าแบบ 5 แถบสี ให้อ่านไล่จากซ้ายมาขวา
เช่น "เขียว น้ำตาล ดำ แดง น้ำตาล" สีเขียวคือ หลักแรกแทนด้วยเลข
5 สีน้ำตาลเป็นหลักที่สองแทนด้วยเลข 1 สีดำเป็นหลักที่สามแทนด้วยเลข
0 ต่อมาแถบสีของตัวคูณ สีแดง แทนด้วย ตัวคูณ × 100 และสีน้ำตาลสุดท้ายเป็นค่าความผิดพลาด
แทนด้วย ±1% ดังนั้น ค่าที่อ่านได้คือ 510×100 =
51,000 โอห์ม ±1% หรือ 51 กิโลโอห์ม ±1%
หน่วยที่ใช้สำหรับตัวต้านทาน |
การเทียบค่าสำหรับตัวต้านทาน |
| โอห์ม ใช้สัญลักษณ์ Ω |
1,000 โอห์ม เท่ากับ 1 กิโลโอห์ม |
| กิโลโอห์ม ใช้สัญลักษณ์ kΩ |
1,000 กิโลโอห์ม เท่ากับ 1 เมกะโอห์ม |
| เมกะโอห์ม ใช้สัญลักษณ์ MΩ |
|
|
|
| |
|
|
| |
ตัวอย่าง ตารางรหัสสีมาตรฐาน EIA
(EIA-RS-279) แบบ 4 แถบ |
|
| |
สี |
แถบ 1 |
แถบ 2 |
แถบ 3
(ตัวคูณ) |
แถบ 4
(ค่าความผิดพลาด) |
สัมประสิทธิอุณหภูมิ |
| ดำ |
0 |
0 |
×100 |
|
|
| น้ำตาล |
1 |
1 |
×101 |
±1% (F) |
100 ppm |
| แดง |
2 |
2 |
×102 |
±2% (G) |
50 ppm |
| ส้ม |
3 |
3 |
×103 |
|
15 ppm |
| เหลือง |
4 |
4 |
×104 |
|
25 ppm |
| เขียว |
5 |
5 |
×105 |
±0.5% (D) |
|
| น้ำเงิน |
6 |
6 |
×106 |
±0.25% (C) |
|
| ม่วง |
7 |
7 |
×107 |
±0.1% (B) |
|
| เทา |
8 |
8 |
×108 |
±0.05% (A) |
|
| ขาว |
9 |
9 |
×109 |
|
|
| ทอง |
|
|
×0.1 |
±5% (J) |
|
| เงิน |
|
|
×0.01 |
±10% (K) |
|
| ไม่มีสี |
|
|
|
±20% (M) |
|
หมายเหตุ: สีแดง ถึง สีม่วง คือ สีของสายรุ้ง โดย
สีแดงเป็นสีที่มีพลังงานต่ำสุด และสีม่วงมีพลังงานสูงกว่า |
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
การวัดค่าความต้านทานแบบค่าคงที่ |
|
| |
- ตั้งย่านความต้านทานได้ ตั้งแต่ ย่าน Rx1K ถึง Rx10K
- นำสายมิเตอร์มาแตะกัน เข็มมิเตอร์จะชี้ขึ้น ดูสเกลบนสุด
จากนั้นปรับค่าเป็นศูนย์โอห์ม เข็มชี้ที่ 0
- เริ่มด้วยย่าน Rx1K ถ้าวัดได้ 10 ก็เท่ากับมีค่า 10K หรือ
1,000 โอห์ม
- ถ้าวัดแล้วไม่ได้ค่าชัดเจน ให้ปรับย่านให้สูงขึ้น ในการปรับทุกครั้งให้ปรับศูนย์โอห์มทุกครั้ง
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
การวัดค่าความต้านทานแบบปรับค่าได้ |
|
| |
- ตั้งย่านให้เหมาะสม เช่น ต้องการวัด โอห์มที่ปรับค่าได้
ขนาด 100K เริ่มที่ Rx1K ปรับศูนย์โอห์ม
- นำสายใดสายหนึ่ง แตะที่ขาที่ 1 แล้วนำอีกสายแตะที่ขา 3 ถ้าเข็มมิเตอร์ขึ้นที่
100 แสดงว่าดี แต่ถ้าชี้ผิดไปจากนี้ แสดงว่าเสีย
- ย้ายสายที่แตะขา 3 มาแตะที่ขา 2 แล้วลองปรับค่าดู จะเห็นว่า
มีค่าตั้งแต่ 0 ถึง 100K
- ถ้าวัดแล้วไม่ได้ค่าชัดเจน ให้ปรับย่านให้สูงขึ้น ในการปรับทุกครั้งให้ปรับศูนย์โอห์มทุกครั้ง
- ลองสลับขา 2 มาแตะขา 3 ลองปรับค่าดู ว่าได้ผลตรงกันหรือไม่
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
ประเภทของตัวเก็บประจุ (Capacitor) |
|
| |
- ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ มีค่าประมาณ 0.1 ไมโครฟารัด
(µF) ถึง 22,000 µF อัตราทนแรงดัน 6.3 V ถึง 450
V ตัวเก็บประจุแบบนี้เป็นแบบมีขั้ว หากต่อผิดหรือใช้ไฟเกินมันจะระเบิดได้
ส่วนใหญ่ใช้ในการทำไฟให้เรียบ (filter) และเชื่อมโยงสัญญาณไฟกระแสสลับ
(coupling) แต่มีข้อเสียคือ ค่าความผิดพลาดมากกว่าตัวเก็บประจุชนิดอื่นๆ
เสียง่าย ส่วนใหญ่มักเสีย แบบค่าเสื่อม หรือรั่ว ข้อดี คือ
มีค่าความจุให้เลือกมากกว่าแบบอื่น และราคาถูก
- ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิก เป็นชนิดที่มีค่าน้อยตั้งแต่ 2
pF ถึง 0.47 µF เป็นแบบไม่มีขั้ว อัตราทนแรงดันส่วนใหญ่
คือ 50 V ถึง 2 kV ใช้งานในความถี่สูงได้ดี ค่าความผิดพลาดส่วนใหญ่มีค่า
±10%
- ตัวเก็บประจุชนิดไมลาร์ เป็นชนิดที่มีค่าปานกลาง 0.001
µF ถึง 1 µF อัตราทนแรงดัน 50 V ถึง 2 kV เป็นตัวเก็บประจุแบบไม่มีขั้วเช่นเดียวกับเซรามิก
แต่มีความถี่ต่ำกว่า มีค่าความผิดพลาดต่ำกว่า ±5%
ถึง ±10% ทนต่อความชื้นได้ดี
และมักไม่เปลี่ยนค่าตามความชื้น
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
ขั้นตอนการตรวจสภาพตัวเก็บประจุด้วยการวัดค่า |
|
| |
- ใช้มัลติมิเตอร์ตั้งย่านวัดค่าความต้านทาน
- การจะวัดต้องช็อตขาให้คายประจุที่มีอยู่ก่อนทุกครั้ง
- นำมาวัด ถ้าค่าความต้านทานต่ำมากๆ แล้วก็ค่อยๆ เพิ่มค่าความต้านทานขึ้นเรื่อยๆ
จนสุดหน้าปัด แสดงว่าเป็นตัวเก็บประจุที่ดี ต้องระวังชนิดอิเล็กโทรไลต์
ควรต่อขั้วให้ถูกต้อง
- จากนั้นก็กลับขั้วแล้ววัดอีกครั้ง เข็มมิเตอร์ต้องขึ้นเหมือนเดิม
แต่จะชี้ค่าความต้านทานต่ำกว่าเดิมประมาณ 2 เท่า
หมายเหตุ
- ถ้าวัดแล้วสังเกตการณ์เปลี่ยนแปลงยาก ให้ตั้งย่านวัดใหม่
ให้อ่านค่าได้ชัด เพื่อลดความ ผิดพลาด อย่าลืม ก่อนตรวจทุกครั้งต้องคายประจุก่อน
- เมื่อวัดตัวเก็บประจุ แล้วเข็มมิเตอร์ชี้ขึ้นและค่อยๆ ลดลง
แต่มาค้างอยู่ไม่ลดลงอีก แสดงว่า เสียแบบรั่ว
- ถ้าวัดแล้วเข็มมิเตอร์ชี้ค่าเป็น 0 โอห์ม หรือใกล้เคียง
แสดงว่า เสียแบบช็อต
- ถ้าวัดแล้วเข็มมิเตอร์ไม่ขึ้นเลย แสดงว่า เสียแบบขาด
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
การอ่านค่าตัวเก็บประจุ (Capacitor) |
|
| |
ตัวเก็บประจุ เป็นอุปกรณ์อิเล็คโทรนิกส์
ที่ใช้งานในแทบทุกวงจร โครงสร้างภายในเป็นแผ่นโลหะ 2 แผ่น คั่นกลางด้วยฉนวน
(ไดอิเล็กตริก) ค่าตัวเก็บประจุมีหน่วยเป็นฟารัด
(Farad) ตัวย่อ คือ F นิยามของขนาดความจุ 1 ฟารัด เท่ากับความจุระหว่างแผ่นโลหะ
2 แผ่น ที่มีความจุ 1 คูลอมป์ และมีความต่างศักย์ ระหว่างแผ่น
1 โวลต์ |
|
| |
|
|
| |
| Capacitor |
Polarized
Capacitors |
Variable
Capacitor |
 |
 |
 |
| |
 |
|
| |
 |
|
| |
 |
|
|
|
|
| |
|
|
| |
ตารางการแปลงหน่วยของตัวเก็บประจุที่ควรทราบ |
|
| |
ไมโครฟารัด
(Microfarad) |
นาโนฟารัด
(Nanofarad) |
พิโกฟารัด
(Picofarad) |
รหัส
EIA |
| 0.0001 µF |
0.1 nF |
100 pF |
101 |
| 0.001 µF |
1 nF |
1,000 pF |
102 |
| 0.01 µF |
10 nF |
10,000 pF |
103 |
| 0.1 µF |
100 nF |
100,000 pF |
104 |
| 1.0 µF |
1,000 nF |
1,000,000 pF |
105 |
|
|
| |
|
|
| |
รหัสอักษรความคลาดเคลื่อนตามมาตรฐาน EIA |
|
| |
ค่าความคลาดเคลื่อน
(ตัวเก็บประจุมีค่ามากกว่า 10 pF) |
ค่าความคลาดเคลื่อน
(ตัวเก็บประจุมีค่าต่ำกว่า 10 pF) |
| F = 1% |
N = 30% |
| G = 2% |
P = -0%, +100% |
| J = 5% |
W = -30%, +40% |
| K = 10% |
Y = -30%, +50% |
| L = 15% |
Z = -30%, +80% |
| M = 20% |
|
|
C |
= 0.25 pF |
D |
= 0.5 pF |
F |
= 1 pF |
G |
= 2 pF |
|
EIA ย่อมาจาก Electrical Industrial
Association |
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
การใช้ไดโอด (Diode) |
|
| |
เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้ในการกำหนดทิศทางการไหลของกระแสไฟฟ้า
และใช้ในการเรียงกระแสสลับเป็นกระแสตรง (rectify) โดยปกติจะมีแรงดันตกคร่อม
ประมาณ 0.6V ถึง 0.7V อาจเปลี่ยนแปลงตามอุณหภูมิ ถ้าอุณหภูมิต่ำ
แรงดันตกคร่อมจะสูง ถ้าอุณหถูมิสูง แรงดันตกคร่อมจะต่ำ |
|
| |
 |
|
| |
แบ่งตามลักษณะการใช้งานได้ 3 ชนิด คือ |
|
| |
- ชนิดใช้กับสัญญาณต่ำๆ และความถี่สูง ใช้ในการเรียงกระแสสลับเป็นไฟกระแสตรงกับสัญญาณที่ต่ำมาก
มีแรงดันตกคร่อม 0.2V ถึง 0.3V แต่ไม่ค่อยนิยมเนื่องจาก มีอัตราการรั่วมาก
เช่น 1N60
- ชนิดที่ใช้กับสัญญาณสูงและความถี่ต่ำหรือไม่สูงมาก นิยมใช้
ในการเปลี่ยนกระแสสลับเป็นกระแสตรงในวงจรไฟต่างๆ ใช้กำหนดทิศทางการไหลของกระแสไฟฟ้า
มีแรงดันตกคร่อมประมาณ 0.6V ถึง 0.7V เช่น 1N4148, 1N4007
เป็นต้น
- ชนิดที่ใช้กับสัญญาณสูงและความถี่สูง มักใช้ในวงจรจ่ายไฟใน
เครื่องคอมพิวเตอร์ และทีวี เป็นต้น
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
ขั้นตอนการตรวจวัดไดโอด |
|
| |
- วิธีเดียวกับการวัดความต้านทาน โดยตั้งย่าน Rx10K
- สายวัดขั้วบวกจะจ่ายไฟลบ และสายขั้วลบจะจ่ายไฟบวก นำไดโอดมาวัด
ถ้าไดโอดดี เข็มมิเตอร์จะต้องขึ้นหนึ่งครั้งและไม่ขึ้นหนึ่งครั้ง
หมายเหตุ
- ถ้าเข็มมิเตอร์ขึ้นมากหนึ่งครั้ง ขึ้นน้อยหนึ่งครั้ง แสดงว่า
เสียแบบรั่ว
- ถ้าเข็มมิเตอร์ขึ้นมากทั้งสองครั้ง แสดงว่า เสียแบบช็อต
- ถ้าเข็มมิเตอร์ไม่ขึ้นเลย แสดงว่า เสียแบบขาด
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
ซีเนอร์ไดโอด (Zener Diode) |
|
| |
เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้ในการรักษาระดับแรงดันให้คงที่
มีคุณสมบัติใกล้เคียงกับไดโอด แต่ต่างที่ตอนไบอัสกลับเท่านั้น
การวัดค่าแรงดันแบบต่อวงจรที่มีตัวจ่ายไฟและตัวความต้านทาน ต่อกับซีเนอร์ไดโอดแบบไบอัสตรง
เมื่อต่อไฟเข้าขั่วแอโนด ให้มีแรงดันไฟลผ่าน จะพบว่ามีแรงดันตกคร่อม
0.7V แต่เมื่อต่อแบบไบอัสกลับ ไฟบวกกับขั้วคาโทด ถ้าแรงดันไฟฟ้าต่ำกว่าแรงดันซีเนอร์ไดโอด
ไฟฟ้าจะไหลผ่านไม่ได้ แต่ถ้าแรงดันไฟฟ้าสูงหรือสูงกว่าแรงดันซีเนอร์ไดโอด
ไฟฟ้าจะไหลผ่านได้ สรุปได้ว่า แรงดันเข้า
= แรงดันตกคร่อมตัวความต้านทานในวงจร + แรงดันตกคร่อมซีเนอร์ไดโอด |
|
| |
 |
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
การวัดซีเนอร์ไดโอดแบบง่าย |
|
| |
- วัดค่าความต้านทานโดยตั้งย่าน Rx1K
- วัดค่าโดยสลับสายวัด ตัวซีเนอร์ที่ดี เข็มมิเตอร์จะชี้ขึ้นมากหนึ่งครั้ง
และชี้ขึ้นน้อยหนึ่งครั้ง การวัดซีเนอร์ให้ผลคล้ายไดโอด
หมายเหตุ
- การนำซีเนอร์ไดโอดมาต่อกับแหล่งจ่ายไฟเพื่อวัด ควรตั้งค่าย่านแรงดันสูงก่อน
เพื่อความปลอดภัยของมิเตอร์
- เข็มมิเตอร์ชี้ขึ้นมาก เหมือนการวัดไอโอดแบบไบอัสตรง ขาที่ต่อกับสายบวก
(ไฟลบ) เป็นขั้วคาโทด ส่วนขาที่ต่อกับสายลบ (ไฟบวก) เป็นขั้วแอโนด
- เมื่อเข็มมิเตอร์ชี้ขึ้นน้อย เหมือนการวัดไดโอดแบบไบอัสกลับ
แต่เข็มจะชี้ขึ้นเพียงเล็กน้อย แสดงว่าเป็นแรงดันของซีเนอร์ไดโอดเอง
- ถ้าขึ้นมากทั้งสองครั้ง แสดงว่า เสียแบบช็อต
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
หลักการเบื้องต้นทรานซิสเตอร์
(Transistor) |
|
| |
เป็นอุปกรณ์ที่ทำหน้าที่คล้ายตัวความต้านทานแบบปรับค่าได้
ระหว่างขา C กับ E มีการปรับค่าตามระดับกระแสที่ไหลผ่านขา B (ขาควบคุม)
ซึ่งกระแสที่ใช้นี้มีค่าน้อยมากเมื่อเทียบกับกระแสที่เข้าที่ขา
C (ขาเข้า) และออกที่ ขา E (ขาออก) ประโยชน์ มักใช้ในการขยายสัญญาณต่างๆ
ที่ใช้ในการควบคุมสัญญาณ และในวงจรผลิตสัญญาณต่างๆ การจ่ายกระแสจะได้มากน้อยขึ้นกับกระแสควบคุมและกำลังขยาย
(hFE) ซึ่งเป็นอัตราส่วนระหว่างกระแสควบคุมกับกระแสที่จ่ายเข้า-ออก
IE
= IC + IB ถ้า IB น้อยมาก จะได้
IE = IC ดังนั้น
hFE = ICE/IB = IC/IB
ทรานซิสเตอร์แบ่งตามชนิดของสารประกอบได้เป็น
2 แบบ คือ NPN และ PNP |
|
| |
ชนิด NPN เป็นทรานซิสเตอร์ที่ต้องจ่ายกระแสเป็นบวก
คือ ขา B ต้องมีค่าบวกมากกว่าขา E จึงจะทำให้ทรานซิสเตอร์ทำงานได้
ปกติจะมีแรงดันตกคร่อมขา B และ E ประมาณ 0.6V ถึง 0.7V สำหรับทรานซิสเตอร์ที่ทำจากสารซิลิคอน
และ 0.2V สำหรับชนิดที่ทำจากสารเจอร์เมเนียม ซึ่งไม่ค่อยนิยมใช้
เพราะว่า รั่วง่าย เราต้องจ่ายไฟขา C มากกว่าขา E เสมอ โดยปรกติ
ขา E จะต่อตรงกับไฟลบ ทรานซิสเตอร์ชนิดนี้จึงเป็นที่นิยมใช้ |
|
| |
ชนิด PNP เป็นทรานซิสเตอร์ที่มีการทำงานเหมือน
NPN แต่ต่างที่ขั้วบวกลบเท่านั้น |
|
| |
 |
 |
| NPN |
PNP |
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
การตรวจวัดทรานซิสเตอร์ |
|
| |
- ตั้งย่านการวัดค่าความต้านทาน ที่ Rx10K
- สำหรับทรานซิสเตอร์แบบ NPN นำสายสีดำ(ไฟบวก) แตะที่ขา B
และสายสีแดง (ไฟลบ) แตะที่ขา C และ E ตามลำดับ โดยเข็มมิเตอร์ต้องใกล้เคียง
0 โอห์ม ทั้งสองครั้ง
- แล้วนำสายสีแดงไฟลบ มาแตะที่ขา B ส่วนสายสีดำ ไฟบวก ไปแตะที่ขา
C เข็มต้องไม่ขึ้นเลย จากนั้นนำสายสีดำ ไฟบวกมาแตะที่ขา E
เข็มมิเตอร์อาจชี้ขึ้นเล็กน้อยหรือไม่ขึ้นเลยเช่นกัน
- เปลี่ยนนำสายสีแดง ไฟลบ มาแตะที่ขา C และสายสีดำ ไฟบวกมาแตะที่ขา
E เข็มมิเตอร์จะต้องขึ้นเล็กน้อยหรือไม่ขึ้นเลยเช่นกัน
- สำหรับทรานซิสเตอร์แบบ PNP ก็ทำเช่นเดียวกันแต่ต่างที่ขั้วบวกลบเท่านั้น
หมายเหตุ
- การนำซีเนอร์ไดโอดมาต่อกับแหล่งจ่ายไฟเพื่อวัด ควรตั้งค่าย่านแรงดันสูงก่อน
เพื่อความปลอดภัยของมิเตอร์
- เข็มมิเตอร์ชี้ขึ้นมาก เหมือนการวัดไอโอดแบบไบอัสตรง ขาที่ต่อกับสายบวก
(ไฟลบ) เป็นขั้วคาโทด ส่วนขาที่ต่อกับสายลบ (ไฟบวก) เป็นขั้วแอโนด
- เมื่อเข็มมิเตอร์ชี้ขึ้นน้อย เหมือนการวัดไดโอดแบบไบอัสกลับ
แต่เข็มจะชี้ขึ้นเพียงเล็กน้อย แสดงว่าเป็นแรงดันของซีเนอร์ไดโอดเอง
- ถ้าขึ้นมากทั้งสองครั้ง แสดงว่า เสียแบบช็อต
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|
| |
|
|
| |
คำย่อทางอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้บ่อย |
|
| |
| A |
Ampere or Anode |
LSI |
Large Scale Integration |
| A.B.R. |
Auxillary Bass Radiator |
l.w. |
Long Wave (approx 1100-2000 m) |
| a.c. |
Alternating current |
M |
Mega (106) |
| A/D |
Analogue to Digital |
m. |
Milli (10-3) or metres |
| ADC |
Analogue to Digital |
MHz |
Megahertz |
| A.e. |
Aerial |
m.c. |
Moving Coil |
| a.f. |
audio frequency |
Mic |
Microphone |
| a.f.c. |
automatic frequency control |
MOS |
Metal Oxide Semiconductor |
| a.g.c. |
automatic gain control |
MPU |
Microprocessor Unit |
| a.m. |
amplitude modulation |
MPX |
Multiplex |
| ASA |
Acoustical Society of America |
m.w. |
Medium Wave (approx 185-560m) |
| ASCII |
American Standard Code for Internation Interchange |
n. |
Nano (10-9) |
| a.t.u. |
aerial tuning unit |
NAB |
National Association of Broadcasters |
| AUX |
AUXiliary |
Ni-Cad |
Nickel-Cadmium |
| a.v.c. |
Automatic volume control |
n/c |
Not Connected; Normally Closed |
| b. |
base of transistor |
n/o |
Normally Open |
| BAF |
Bonded Acetate Fibre |
NMOS |
Negative channel Metal Oxide Semiconductor |
| B&S |
Brown & Shape (U.S.) wire gauge |
o/c |
Open Channel; Open Circuit |
| b.p.s. |
bits per second |
o/p |
Output |
| BR |
Bass Reflex |
Op-amp |
Operational amplifier |
| BSI |
British Standards Institution |
p. |
Pico (10-12) |
| C |
Capacitor, Cathode, Centigrade, Colomb |
PA |
Public Address |
| c. |
collector of transistor, speed of light |
PABX |
Private Automatic Branch eXchange |
| CB |
Citizens band |
PAL |
Phase Alternation Line |
| CCD |
Charge Coupled Device |
p.a.m. |
Pulse Amplitude Modulation |
| CCIR |
International Radio Consultative Committee |
PCB |
Printed circuit Broad |
| CCITT |
International Telegraph and Telephone Consultative
Committee |
PCM |
Pulse Code Modulation |
| CCTV |
Closed Circuit Television |
PLA |
Programmable Logic Array |
| chps. |
characters per second |
PLL |
Phase Locked Loop |
| CPU |
Central Processor Unit |
PMOS |
Politive channel Metal Oxide Semiconductor |
| CTD |
Charge Transfer Device |
p.p.m. |
Peak Programme Meter |
| CLK |
ClocK signal |
p.r.f. |
Pulse Repetion Frequency |
| CrO2 |
Chromium Dioxide |
PROM |
Programmable Read Only Memory |
| CMOS |
Complementary Metal Oxide Semiconductor |
PSS |
Packet Switch Stream |
| c.w. |
continuous wave |
PSIN |
Public Switched Telephone Network |
| D |
Diode |
PSU |
Power Supply Unit |
| d. |
drain of an f.e.t. |
PTFE |
Polytetrafluoronethylene |
| D/A |
Digital to Analogue |
PU |
PickUp |
| DAC |
Digital to Analogue Convertor |
PUJT |
Programmable Unijunction Transistor |
| dB |
deciBel |
Q |
Quality factor; efficiency of turned circuit, charge |
| d.c. |
direct current |
R |
Resistance |
| DCC |
Double Cotton Covered |
RAM |
Random Access Memory |
| DCE |
Data Circuit-terminating Equipment |
RCF |
Recommended Crossover freq. |
| DF |
Direction Finding |
RIAA |
Record Industry Association of America |
| DIL |
Dual-In-Line |
r.f. |
Radio Frequency |
| DIN |
German standard institute |
r.f.c. |
Radio Frequency Choke (coil) |
| DMA |
Direct Memory Access |
r.m.s. |
Root Mean Square |
| DPDT |
Double Pole, Double Throw |
ROM |
Read Only Memory |
| DPST |
Double Pole, Single Throw |
RTL |
Resistor Transistor Logic |
| DTE |
Data Terminal Equipment |
R/W |
Read/Write |
| DTL |
Diode-Transistor Logic |
RX |
Receive |
| DTMF |
Dual Tone Multi-Frequency |
S |
Siemens |
| DX |
long Distance reception |
s. |
Source of an f.e.t. |
| e. |
Emitter of transister |
s/c |
Short Cirsuit |
| EAROM |
Electrically Alterable Read Only Memory |
SCR |
Silicon-Controlled Rectifier |
| ECL |
Emitter Coupled Logic |
s.h.f |
Super High Frequency |
| e.h.t. |
Extremely High Tension |
SI |
International System of units |
| e.m.f. |
Electromotive force |
S/N |
Signal-to-Noise |
| en. |
Enamelled |
SPL |
Sound Pressure Level |
| EPROM |
Erasable Programmable Read Only Memory |
SPST |
Single Pole, Single Throw |
| EQ |
Equalisation |
SPDT |
Single Pole, Double Throw |
| ERP |
Effective Radiated Power |
s.w. |
Short Wave (approx 10-60 m) |
| EROM |
Erasable Read Only Memory |
s.w.g. |
Standard Wire Gauge |
| F |
Farad, Fahrenheit or Force |
s.w.r. |
Standard Wave Ratio |
| f. |
Frequency |
T |
Tesia |
| Fe |
Ferrous |
TDM |
Time Division Multiplex |
| FeCr |
Ferri-Chrome |
t.h.d. |
Total Harmonic Distortion |
| f.et. |
Field Effect Transistor |
t.i.d. |
Transient Intermodulation Distortion |
| f.m. |
Frequency Modulation |
TR |
TRansformer |
| f.r. |
Frequency Response or Range |
t.r.f. |
Turned Radio Frequency |
| f.s.d. |
Full-Scale Deflection |
TTL |
Transistor Transistor Logic |
| f.s.k. |
Frequency Shift Keying |
TTY |
Teletype Unit |
| G |
Giga (109) |
TVI |
TeleVision Interface, TeleVision Interference |
| g. |
Grid, Gravitational constant |
TX |
Transmitter |
| H |
Henry |
UART |
Universal Asynchronous Receiver Transmitter |
| h.f. |
High Frequency |
u.h.f. |
Ultra High Frequency (approx. 470-854 MHz) |
| Hz |
Hertz (cycles per second) |
u.j.t. |
Unijunction Transistor |
| I |
Current |
ULA |
Uncommitted Logic Array |
| IB |
Infinite Baffle |
V |
Volts |
| i.c. |
Integrated circuit |
VA |
Volt-Amps |
| IF |
Intermediate Frequency |
v.c.a. |
Voltage Controlled Amplifier |
| IHF |
Institute of High Fidelity (U.S.) |
v.c.o. |
Voltage Controlled Oscillator |
| I2L (IIL) |
Integrated Injection Logic |
VCT |
Voltage to Current Transaction |
| i.m.d. |
Intermodulation Distortion |
v.h.f. |
Very High Frequency |
| i/p |
Input |
v.l.f. |
Very Low Frequency |
| i.p.s |
Inches per second |
VU |
Volume Unit |
| k. |
Kilo (103) or cathode |
W |
Watts |
| K |
Kilo, in computing terms (210=1024), or degrees
Kelvin |
Wb |
Weber |
| L |
Inductance or lumens |
W.F. |
Wow and Flutter |
| l.e.d. |
Light Emitting Diode |
w.p.m. |
Words Per Munite |
| l.f. |
Low Frequency |
X |
Reactance |
| LIN |
Linear |
Xtal |
Crystal |
| LOG |
Logarithmic |
Z |
Impedance |
| LS |
Loud Speaker |
ZD |
Zener Diode |
|
|
| |
กลับขึ้นไปข้างบน |
|